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    • 专利摘要:
    本發明揭示一種奈米線製造方法，其步驟係包括：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一奈米線於該些格柵圖案之上；以及分離該奈米線與該格柵圖案。根據本發明，可藉由控制濕蝕刻製程時間週期來調整該奈米線之寬度及高度；該奈米線可在室溫下以低成本來製造、該奈米線可被大量製造、且即使是大量製造的情況下，仍可製造出規律之奈米線。
    公开号:TW201305043A
    申请号:TW101123578
    申请日:2012-06-29
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Young-Jae Lee；Kyoung-Jong Yoo；Jun Lee；Jin-Su Kim；Jae-Wan Park
    申请人:Lg Innotek Co Ltd；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    奈米線製造方法
    本發明係主張關於2011年06月29日申請之韓國專利案號No.10-2011-0063528之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
    本發明係關於一種奈米線製造方法。
    一奈米線係為具有一奈米單位尺寸之一線結構；其中，其係具有各種不同的直徑大小，範圍可自小於10nm至數百奈米。此奈米線係具有優點如決定於一特定方向之電子運動性質(electron movement property)或一極化現象(polarization phenomenon)之一光學性質。結果是，奈米線被使用於各種不同之光二極體(photo diode)領域之中(如雷射、電晶體、記憶單元等)，作為新世代的科技技術。
    如今，即使有眾多針對奈米粒子製造方法及材料特性之研究，卻很少有針對奈米線製造方法之研究。一現有代表性之奈米線製造方法係如圖1所示，為一氣液固成長法(Vapor-Liquid-Solid growth method，簡稱VLS成長法)。
    該VLS成長法係以下列步驟來製造一奈米線。首先，如圖1(a)所示，準備一基板11。然後，如圖1(b)所示，藉由施用金屬(例如金(Au))，來形成一金屬層12係於基板11之上。接著，具有該金屬層之基板係被熱處理於約500℃之下，然後金屬層12係凝聚結團，終形成一金屬催化劑13(metal catalyst)，如圖1(c)所示。此時，金屬催化劑13通常各自具有不規則的尺寸大小，而非整齊一致的。此後，如圖1(d)所示，以該金屬催化劑作為成核(nucleation place)之處，來形成一奈米線14。在此處，奈米線14之形成，係可藉由將矽烷或其他矽氫化合物(silicon hydrogen compound)提供於金屬催化劑13、並在一製程溫度下，於金屬催化劑處誘發矽烷中之矽元素形成核(nucleus)。當持續地提供矽烷(silane)時，奈米線可持續地在金屬催化劑13之下成長，如圖1(d)所示。根據VLS成長法，可藉由妥善調整材料氣體(material gas)(如矽烷)之量，來形成所需長度之奈米線；然而，當形成奈米線時，此方式具有一長度上限限制，且因需要高溫熱處理之故，進一步的大量生產並不完善。又，奈米線之成長係受到金屬催化劑13之影響，有其直徑與分布之限制，很難精確調整寬度(厚度)與分布，且金屬催化劑亦可能對奈米線造成雜質污染(impurity contamination)。
    另外，VLS成長法之製程所費昂貴，又不適宜大量生產；故，VLS成長法不適合用以大量生產奈米線。
    為解決上述問題，本發明提供一種奈米線製造方法，其步驟係包括：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一奈米線於該些格柵圖案之上；以及分離該奈米線與該格柵圖案。
    形成複數個格柵圖案之步驟係包括：形成一聚合物(polymer)之格柵基層(grid base layer)於該基板之上；以及以一壓印模具(imprint mold)來壓緊該格柵基層。
    該格柵圖案之一寬度為20 nm至200nm。
    形成一奈米線之步驟係包括：藉由沉積奈米線材料於該格柵圖案之上，來形成一奈米線基層(nanowire base layer)；以及濕蝕刻該奈米線基層。
    該奈米線材料係為金屬、金屬氧化物、氮化物、及陶瓷其中至少一者。
    沉積奈米線材料之程序係由使用濺鍍法(sputtering method)、化學氣相沉積法(CVD)、及蒸鍍法(evaporation method)其中至少一者來進行。
    分離該奈米線之步驟係包括：分離該奈米線與該格柵圖案，其係藉由將黏著劑(adhesive agent)黏合在該奈米線之一上部分上，其碰到紫外光便會失去黏性；將一紫外光照射在該黏著劑上，以去除黏性，然後即可把該黏著劑與該奈米線分開。該黏著劑可為一薄膜之型態。
    分離該奈米線之步驟係包括：分離該奈米線與該格柵圖案，其係藉由施加超音波震動(ultrasound vibration)於該格柵圖案上，來分離之。
    該奈米線製造方法更進一步包括：在形成格柵圖案之步驟與形成奈米線之步驟之間，藉由沉積犧牲材料(sacrificial substance)於該格柵圖案之上來形成一犧牲層(sacrificial layer)。其中，分離該奈米線之步驟係包括：蝕刻該犧牲層，來分離該奈米線與該格柵圖案。
    上述及其他本發明之方面、功效、與優點將配合所附圖示說明之。
    在下文中，將配合圖示詳細說明本發明之實施例。應予理解的是，在此所述之結構與圖示所繪示者，僅為本發明之實施例，其可具有多種變化及修改。另，在本發明下列敘述中，為求說明清晰，下文內容將省略可能導致本發明內容不清楚之已知功能與結構的詳細說明。下述之詞語係依據其於本發明中之功能來定義，且應以本發明說明之整體內容以解釋之。相同或相似之參考數字將會指定到圖示解說中具有相同或相似功能、操作之元件。
    圖2係根據本發明，繪示有奈米線製造方法之順序流程圖。
    參閱圖2，根據本發明，一奈米線製造方法係包括下列步驟：形成複數個格柵圖案於一基板之上(步驟S1)；形成一奈米線於該些格柵圖案之上(步驟S3)；以及分離該奈米線與該格柵圖案(步驟S5)。
    步驟S1中所使用之基板材料，可使用：塑膠，其包括各種高分子聚合物如玻璃、石英、壓克力、聚碳酸酯(PC)、及聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等；以及藍寶石(sapphire)等。在下文中，將詳細敘述形成複數個格柵圖案之步驟製程。
    形成複數個格柵圖案之步驟可由一奈米印刷製程(nano-printing)來進行。也就是說，將聚合物(如紫外光樹脂(UV resin))施用於一基板之上，以形成一格柵基層。接著，具有一溝槽與一凸塊之一壓印模具係被排列於該格柵基層之上。在此處，壓印模具之該些溝槽與凸塊係以一預設距離彼此相隔、重複排列。又，壓印模具之溝槽係對應於該格柵圖案將形成之位置。
    接著，壓印模具之溝槽與該格柵基層係被壓緊、彼此接觸，然後照射紫外光在其上，以將其光硬化。結果，複數個格柵圖案形成於該基板上對應於該壓印模具溝槽之位置。此時，該溝槽之一寬度W可落在20 nm至200nm之範圍內；然而，本發明並不限定於此。據此，該格柵圖案之一寬度可對應該壓印模具溝槽之寬度，亦落在20 nm至200nm之範圍內。然而，很明顯的，此處所述僅為一實驗例；該壓印模具溝槽與該格柵圖案之寬度可考慮稍後形成之奈米線寬度而定。
    同時，即使在上述實施例中，是使用光硬化材料(phto-curable material)作為形成該格柵基層之聚合物，但亦可使用熱硬化材料(heat-curable material)；若如此，可藉由將壓印模具與該格柵基層壓緊，然後加熱以硬化之，來形成根據本發明之格柵圖案。
    步驟S3：形成一奈米線於該些格柵圖案之上之步驟，係由下述之方式進行。
    使用現在業界普遍使用的濺鍍法、化學氣相沉積法、及蒸鍍法等製程，或是未來科技發展下所發展出任何適用於此的新製程，將奈米線材料沉積於在步驟S1中形成之該格柵圖案之上，藉此來形成一奈米線基層。在此處，該奈米線材料可為金屬、金屬氧化物、氮化物、及陶瓷其中至少一者。舉例而言，該奈米線材料可為：金屬，如銀、銅、鋁、鉻等；金屬氧化物，如氧化銀(AgO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(ITO)等；及陶瓷材料，如矽(Si)或二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)、碳化矽(SiC)等。然而，此處所述僅為一實例材料，本發明之範疇並不限制於此；因此，有許多材料均可被用作為奈米線材料，沉積於格柵圖案之上，端視其使用目的而定。
    在此之後，對由沉積奈米線材料而形成之該奈米線基層進行濕蝕刻，可形成一奈米線。此時，該奈米線之一寬度及厚度可由調整濕蝕刻之製程時間週期來控制。
    接著，在步驟S5中，係將格柵圖案以及於步驟S3形成之奈米線分離。此時，分離奈米線與格柵圖案之製程係如下述般進行之。
    步驟S5一第一實施例中，一黏著劑係被黏合於由步驟S3形成之奈米線上，以將奈米線與格柵圖案分離。此時，要被黏合於該奈米線上之黏著劑可為薄膜型態或液態，並以薄膜型為較佳。又，該黏著劑可為具有強黏著力之材料(在紫外光照射前)，且在紫外光照射下會失去黏著力者。舉例而言，可使用丙烯酸基(acryl group)或異丙烯乙烯基(vinyl iso group)之光引發聚合(photo-induced polymerization)黏著劑；然而，黏著劑之種類並不限定於此，所有具有上述特性之材料均可作為黏著劑使用。
    步驟S5一第二實施例中，可藉由將超音波震動施於有奈米線形成於其上之格柵圖案上，來分離奈米線與格柵圖案。此時，在第一及第二實施例中，在步驟S1結束後，將潤滑劑(lubricant agent)施用於該格柵圖案之上，來對該格柵圖案進行表面處理，以使奈米線與格柵圖案之分離能夠順利簡易。
    同時，在步驟S1結束後，一犧牲層可被進一步地沉積於該格柵圖案上；在此情況下，步驟S5一第三實施例中，奈米線係由蝕刻不同種類的薄膜來分離之。下文將配合圖6至8詳述之。
    根據本發明之奈米線製造方法，包括上述方法，係具有功效優點在於：與習知技藝不同，奈米線之寬度及高度可藉由控制濕蝕刻製程時間週期來調整，且奈米線可在室溫下以低成本來製造、可被大量製造、並可在大量製造的前提下仍維持其規律整齊性。又，在製造流程中形成之格柵圖案以及形成在基板上之格柵圖案可在製程中重複使用，以降低製造成本。
    圖3至5係根據本發明，分別繪示有奈米線製程圖。更詳細來說，圖3至5係根據圖2所示之第一實施例，繪示有奈米線製程圖。
    根據圖2至5，將一高分子聚合物施用於一基板110之上，來形成一格柵基層130，如圖3(a)所示。
    然後，一壓印模具210係被排列對齊於格柵基層130之上，如圖3(b)所示。在此處，壓印模具210係具有：複數個凸塊211，以一預設距離排列；以及複數個溝槽，形成於該些凸塊之間。在此處，該溝槽之一寬度W可落在20 nm至200nm之範圍內；然而，如圖2所示，其寬度並不限定於此。
    又，如圖3(c)所示，可將格柵基層130之一上部分與壓印模具210彼此緊壓，來形成格柵圖案131，然後再以如圖4(d)所示之方式將壓印模具210分離。此時，在完成緊壓格柵基層130與壓印模具210之步驟後、進行分離壓印模具210之步驟前，可根據格柵基層130之材料來選擇一光硬化程序(加熱硬化或紫外光照射)進行。
    在形成格柵圖案以後，如圖4(e)所示，可由沉積奈米線材料於格柵圖案131之上，來形成一奈米線基層150。此時，奈米線基層150上可在各格柵圖案131之間分別形成一空間132，如圖4(e)所示；然而，奈米線基層之結構配置並不限制於此。之所以在格柵圖案131之間形成空間132，是為了使稍後對奈米線基層150進行之濕蝕刻程序得以順利。在此處，奈米線材料可為金屬、金屬氧化物、氮化物、及陶瓷其中至少一者。而其沉積方法可包括現在業界普遍使用之一濺鍍法、化學氣相沉積法、及蒸鍍法等等，或是未來科技發展下所發展出任何適用於此的新製程，如圖2所述。
    在形成奈米線基層150之步驟後，可由對各格柵圖案131之間的空間進行濕蝕刻，來形成一奈米線170，如圖4(f)所示。此時，奈米線170之一寬度與厚度可由調整濕蝕刻製程時間週期來控制。
    在形成奈米線170之步驟後，如圖5(g)所示，一黏著劑310係被黏合於奈米線170之上。此時，黏著劑310可為薄膜型態或液態，並以薄膜型為較佳，但不限制於此。又，該黏著劑可為具有強黏著力之材料(照射紫外光前)，且在紫外光照射下會失去黏著力者。舉例而言，可使用丙烯酸基(acryl group)或異丙烯乙烯基(vinyl iso group)之光引發聚合黏著劑；然而，黏著劑之種類並不限定於此，所有具有上述特性之材料均可在此作為黏著劑使用。
    在黏合黏著劑310之步驟後，如圖5(h)所示，奈米線170可與格柵圖案分離，且藉由照射紫外光於黏著劑310之上，使其失去黏性，可獲得根據本發明之奈米線，如圖5(i)所示。
    圖6至8係根據本發明，繪示有一製造流程圖。更詳細來說，圖6至8係根據圖2所示之第三實施例，繪示有奈米線之製程圖。
    參閱圖2至8，將一高分子聚合物施用於一基板110之上，來形成一格柵基層130，如圖6(a)所示。之後，一壓印模具210係被排列對齊於格柵基層130之上，如圖6(b)所示。
    另，如圖6(c)所示，可將格柵基層130之一上部分與壓印模具210彼此緊壓，來形成格柵圖案131，然後再以如圖7(d)所示之方式將壓印模具210分離。細節之詳細說明係與圖3至5之敘述相同，故此處予以省略，不再贅述。
    在形成格柵圖案以後，藉由沉積犧牲層材料，可將一犧牲層140形成於格柵圖案131之上。在此處，該犧牲層材料可隨稍後將沉積之奈米線材料的不同而變動。舉例而言，當奈米線材料係為多晶矽、矽晶、氮化矽、一氮化鈦、鈦、及鋁其中一者時，犧牲層材料可為氧化物。又，當奈米線材料係為氧化物、矽晶、氮化矽其中一者時，犧牲層材料可為多晶矽。又，當奈米線材料係為鎳時，犧牲層材料可為銅或鋁。又，當奈米線材料係為銀時，犧牲層材料可為鋁。同時，當奈米線材料係為金時，犧牲層材料可為銅、鎳、及鋁。然而，此處所述僅為犧牲層材料之實施例，實際使用之犧牲層材料仍需視奈米線材料之不同而定。
    在形成犧牲層140之步驟以後，如圖7(f)所示，可由沉積奈米線材料於該犧牲層形成之格柵圖案131之上，來形成一奈米線基層150。此時，奈米線基層150上可在各格柵圖案131之間分別形成一空間132，如圖7(f)所示；然而，奈米線基層之結構配置並不限制於此，如圖4所述。
    在此處，將被沉積於格柵圖案131上之奈米線材料可為金屬、金屬氧化物、氮化物、及陶瓷其中至少一者。而其沉積方法可包括現在業界普遍使用之一濺鍍法、化學氣相沉積法、及蒸鍍法等等，或是未來科技發展下所發展出任何適用於此的新製程，如圖2所述。
    在形成奈米線基層150之步驟後，可由對各格柵圖案131之間的空間進行濕蝕刻，來形成一奈米線170，如圖8(g)所示。
    在形成奈米線170之步驟後，如圖8(h)所示，使用一蝕刻劑來蝕刻犧牲層140，以分離奈米線170與格柵圖案131，最終獲得奈米線170。此時，所使用之蝕刻劑可根據犧牲材料之種類而選擇之。
    根據本發明，奈米線可由一奈米壓印和濕蝕刻製程來製造；因此，其可在室溫下製造。又，奈米線之一寬度與厚度可由調整濕蝕刻製程時間週期來控制。結果，所需尺寸之奈米線可被大量製造，且即便是大量製造的前提下，奈米線依舊保有整齊規律性。
    根據本發明，一奈米線可輕易地在室溫底下製造，而無須在高溫下使用一熱處理製程；據此，可改良製程效率。
    另，根據本發明，製造出的奈米線之寬度及高度可由調整濕蝕刻製程時間週期來控制。
    又，根據本發明，奈米線係由使用濕蝕刻製程來製造，故其製造成本低廉。
    同時，根據本發明，奈米線可被大量製造，且即便是大量製造的前提下，奈米線之整齊一致性仍甚佳。雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。因此，本發明之範疇應由所附之專利範圍之範疇，而非本參考書之說明內文，來定義，且所有落入本發明範疇之修改均應被理解為被包括於本發明申請範疇之內。
    11‧‧‧基板
    12‧‧‧金屬層
    13‧‧‧金屬催化劑
    14‧‧‧奈米線
    110‧‧‧基板
    130‧‧‧格柵基層
    131‧‧‧格柵圖案
    132‧‧‧空間
    140‧‧‧犧牲層
    150‧‧‧奈米線基層
    170‧‧‧奈米線
    210‧‧‧壓印模具
    211‧‧‧凸塊
    310‧‧‧黏著劑
    S1、S3、S5‧‧‧步驟
    圖1係繪示有一習知奈米線製造方法；圖2係根據本發明，繪示有一奈米線製造方法之流程圖；圖3至5係根據本發明，分別繪示有奈米線製造流程圖；以及圖6至8係根據本發明，繪示有一製造流程圖。
    S1、S2、S3‧‧‧步驟
    权利要求:
    Claims (17)
    [1] 一種奈米線製造方法包括：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一奈米線於該些格柵圖案之上；以及分離該奈米線與該格柵圖案。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其中該形成複數個格柵圖案之步驟係包括：形成一聚合物格柵基層於該基板之上；以及使用一壓印模具來壓緊該格柵基層。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其中該格柵圖案之一寬度為20 nm至200nm。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其中該形成一奈米線之步驟係包括：藉由沉積奈米線材料於該格柵圖案之上，來形成一奈米線基層；以及濕蝕刻該奈米線基層。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之奈米線製造方法，其中該沉積奈米線材料之步驟係包括：在各格柵圖案之間提供一間隙。
    [6] 如申請專利範圍第4項所述之奈米線製造方法，其中該奈米線材料係為金屬、金屬氧化物、氮化物、及陶瓷其中至少一者。
    [7] 如申請專利範圍第4項所述之奈米線製造方法，其中該沉積奈米線材料之步驟係使用濺鍍法、化學氣相沉積法(CVD)、及蒸鍍法其中至少一者來進行。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其中該分離奈米線之步驟係包括：分離該奈米線與該格柵圖案，其係藉由將黏著劑黏合在該奈米線之一上部分上，該黏著劑碰到紫外光便會失去黏性；將一紫外光照射在該黏著劑上，以去除黏性；以及將該黏著劑與該奈米線分開。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其中該分離奈米線之步驟係包括：以施加超音波震動於該格柵圖案上，來分離該奈米線與該格柵圖案。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之奈米線製造方法，其進一步包括：在該形成格柵圖案之步驟與該形成奈米線之步驟之間，將犧牲材料沉積於該格柵圖案之上，來形成一犧牲層；其中，該分離奈米線之步驟係包括：蝕刻該犧牲層，以分離該奈米線與該格柵圖案。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之奈米線製造方法，其中該犧牲層材料係為氧化物、多晶矽(Poly-Si)、銅(Cu)、鎳(Ni)、及鋁(Al)其中一者。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中當該犧牲層材料係為氧化物時，奈米線材料係為多晶矽、矽晶(SiC)、氮化矽(SiN)、一氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、及鋁(Al)其中一者。
    [13] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中當該犧牲層材料係為多晶矽時，奈米線材料係為氧化物、矽晶、及氮化矽其中一者。
    [14] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中當該犧牲層材料係為鋁時，奈米線材料係為鎳、銀、及金。
    [15] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中當該犧牲層材料係為銅時，奈米線材料係為鎳或金。
    [16] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中當該犧牲層材料係為鎳時，奈米線材料係為金。
    [17] 如申請專利範圍第11項所述之奈米線製造方法，其中該犧牲層材料與該奈米線材料係為不同者。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    WO2013002570A3|2013-04-11|
    US8821740B2|2014-09-02|
    CN103648968A|2014-03-19|
    US20140335328A1|2014-11-13|
    US20140144881A1|2014-05-29|
    TWI469916B|2015-01-21|
    KR20130002527A|2013-01-08|
    US9695499B2|2017-07-04|
    WO2013002570A2|2013-01-03|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US6174578B1|1997-10-24|2001-01-16|Rexam Industries Corp.|Radiation deactivatable adhesive tape|
    US7182996B2|2002-11-22|2007-02-27|Florida State University Research Foundation, Inc.|Deposting nanowires on a substrate|
    KR20050099888A|2004-04-12|2005-10-17|엘지전자 주식회사|나노 와이어 제조 방법|
    US7943491B2|2004-06-04|2011-05-17|The Board Of Trustees Of The University Of Illinois|Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp|
    US7692179B2|2004-07-09|2010-04-06|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Nanowire device with vertical sidewalls and method of fabrication|
    KR20060018466A|2004-08-24|2006-03-02|엘지전자 주식회사|비금속 나노선 제작방법|
    JP2008511985A|2004-08-31|2008-04-17|エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ|ナノ構造体及びそれを製造する方法|
    KR100740531B1|2005-09-22|2007-07-18|전자부품연구원|나노와이어 소자 제조 방법|
    KR100664760B1|2006-02-24|2007-01-09|허정석|업소용 식기세척기의 세척수 공급관 구조|
    CN101298314A|2008-05-30|2008-11-05|中国科学院上海技术物理研究所|利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法|
    US8404600B2|2008-06-17|2013-03-26|Micron Technology, Inc.|Method for forming fine pitch structures|CN102119363B|2008-08-05|2015-10-21|斯莫特克有限公司|用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用|
    US9786850B2|2012-09-07|2017-10-10|President And Fellows Of Harvard College|Methods and systems for scaffolds comprising nanoelectronic components|
    US9457128B2|2012-09-07|2016-10-04|President And Fellows Of Harvard College|Scaffolds comprising nanoelectronic components for cells, tissues, and other applications|
    KR102247416B1|2014-09-24|2021-05-03|인텔 코포레이션|표면 종단을 갖는 나노와이어를 사용하여 형성되는 스케일링된 tfet 트랜지스터|
    CN106298398B|2016-09-29|2018-12-28|青岛科技大学|具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线的制备及应用|
    CN106952856B|2017-01-26|2021-03-02|中国科学院半导体研究所|氮化物纳米带的制备方法|
    CN108118295A|2017-12-21|2018-06-05|上海银之川金银线有限公司|一种非连续真空镀金属薄膜、金属丝及其制作方法|
    CN110656311A|2019-09-20|2020-01-07|南京大学|一种自上而下制备纳米粒子的方法|
    法律状态:
    2018-10-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    KR1020110063528A|KR20130002527A|2011-06-29|2011-06-29|나노와이어 제조방법|
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